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静电ESD的对元器的危害

2012-10-08 09:01:41    上一篇[返回首页]    [打印]    [返回上页]     下一篇

静电ESD的对元器的危害

ESD 对元器件的损害后果可分为:硬击穿和软击穿

①硬击穿:

所谓硬击穿是一次性造成芯片内热二次击穿、风淋室金属喷键、熔融、介质击穿、表面击穿、体积击穿等使集成电路彻底损坏、永久性失效,当静电放电能量达到一定值时,足以引起集成电路的爆炸,使其芯片完全烧毁裸露,造成人身伤害设备故障耗费增加。硬击穿特征明显一般来说可以在出厂交货之前检查出来。

 

 

②软击穿:

软击穿(软失效) 是造成器件的性能劣化或参数指标下降,但还没有完全损坏而形成隐患,在最后质量检验中很难被发现,在使用时静电造成的电路潜在损伤,会使其参数变化、品质劣化、寿命降低,使设备运行一段时间后,随温度、时间、电压的变化,出现各种故障不能正常工作,即软失效。

如果受损的芯片属于一些重要的控制系统,如网络中心控制系统、自动播出控制系统、生产调度控制中心、电子作战指挥系统、自动导航系统、火箭发射控制系统等,其造成的危害有时是难以预料的,这潜在的损伤实际上具有更大危害,造成的直接和间接损失更为严重。

有关资料证明 ,风淋室ESD 引起的器件损伤

90%为潜在性的软击穿损伤,10%为立即失效的硬击穿损伤

软击穿不易察觉具有潜在隐蔽的特点,危害更大。

3.静电对静电敏感器件的危害

①由于集成电路的集成度越来越高,体积缩小,光刻线条变细,线间距离窄,以及采用大量新型材料(其抗静电性很低) 至使其抗静电性下降。100-200伏的电位差就能将其击穿破坏。

所有的集成电路均对静电敏感,其不同之处只在于所能承受的电压值不同而已,人体有感的静电放电在3000伏以上,因此减少静电到人无感觉的程度,并没有消除电子设备受静电损坏的危害。

当人感觉到静电放电时,可能已经对造成损伤了,所以对静电的防护主要应致力于防患于未然,进行综合防护。

②损伤电子元器件,破坏系统正常工作

大规模集成电路中的氧化膜只有数微米厚, IC 电路


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